仪器仪表学报

作者：胡 伟，王又弘，康开进，董彩丽，何 邕

单位：胡 伟,1.重庆大学光电工程学院,,王又弘,1.重庆大学光电工程学院,,康开进,1.重庆大学光电工程学院,,董彩丽,1.重庆大学光电工程学院,,何 邕,1.重庆大学光电工程学院,

关键词：忆阻器;阻变存储器;忆阻式传感器;阻变特性;传感性能

基金：国家自然科学基金(92471207)、重庆市自然科学基金创新发展联合基金(市教委) (CSTB2022NSCQ-LZX0075)、中央高校基本科研业务费(2024CDJGF-020)项目资助

忆阻器作为第4类无源电子器件,具有结构简单、存储速度快、集成密度高等优点,被认为是下一代非易失性存储器和人工突触器件的有力竞争者。目前,基于电阻、电容、电感3种无源电子器件构建的电阻式、电容式、电感式传感器原理清晰、研究深入、应用广泛。然而,基于忆阻器的忆阻式传感器的研究却处于起步阶段。首先从简要介绍忆阻器的性能、材料、机理和应用出发,基于忆阻器在传感领域的探索研究引出并阐明忆阻式传感器的概念;然后重点综述利用忆阻器进行物理参量、化学参量、生物参量等传感特性研究的国内外进展;最后,根据忆阻式传感器发展现状的分析总结,指出其面临的挑战与相应的展望,为未来忆阻式传感器研究提供可行的方向。

来源：2024年第12期

《仪器仪表学报》期刊编辑部

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